Поиск по статьям
Все про умный дом
Все о пожарной безопасности
Сейчас читают
- Как смотреть youtube без тормозов и замедленияЕсли Вы на этой странице, то Вам, скорее всего, […]
- 10 лучших прогрессивных языков программирования для разработки мобильных приложенийЗнаете ли вы, что мобильные приложения — это не только […]
- 6 важных особенностей, которые следует учитывать при строительстве нового домаСтроительство нового дома – это уникальная возможность […]
Гороскоп на Сегодня
Что такое устройство вакуумного осаждения паров?
Устройство вакуумного осаждения паров — это устройство, которое формирует пленку на объекте путем испарения вещества при пониженном давлении.
Устройство вакуумного осаждения паров может формировать гладкое покрытие на объекте, а толщину и состав покрытия можно контролировать.
Применение устройств вакуумного осаждения паров
Устройства вакуумного осаждения паров могут формировать пленки из различных материалов, включая металлические материалы, такие как алюминий и органические/неорганические материалы.
Устройства вакуумного осаждения паров используются для следующих целей:
- Оптические тонкие пленки (просветляющие покрытия для линз, специальные зеркала и т. д.)
- Магнитные ленты (аудио- и видеокассеты и т. д.)
- Полупроводники (органические электролюминесцентные, светодиодные, солнечные элементы и т. д.)
- Электронные компоненты (резисторы, конденсаторы, полупроводниковые интегральные схемы и т. д.)
- Материалы для упаковки пищевых продуктов (например, алюминиевая напыленная пленка, используемая для пакетов для закусок и т. д.)
- Аналитические приложения (подготовка образцов)
Принцип работы устройств вакуумного осаждения паров
Роторный насос или турбомолекулярный насос используется для сброса давления в камере, испарения осаждаемого материала и его осаждения на объект на расстоянии. Пониженное давление удаляет примеси из камеры и улучшает диффузию испаряемого материала для получения гладкой пленки с хорошей адгезией.
Гальванопокрытие — это известный метод формирования пленки на поверхности материала. Разница в том, что при гальванопокрытии сырье подается из жидкой фазы, тогда как при осаждении из паровой фазы сырье подается из газовой фазы.
Типы устройств вакуумного осаждения паров
Методы осаждения, используемые в устройствах вакуумного осаждения паров, можно разделить на два типа в зависимости от способа испарения вещества: физическое осаждение паров (PVD) и химическое осаждение паров (CVD).
1. Физическое осаждение паров (PVD)
Физическое осаждение из паровой фазы (PVD) — это метод формирования пленок путем испарения или сублимации испаряемых материалов с помощью физических средств, таких как нагрев. Методы нагрева включают электронный луч, резистивный нагрев, высокочастотную индукцию и лазер.
- Электронно-лучевой нагрев
Испарение происходит путем облучения испаряемого материала, хранящегося в тигле из огнеупорных материалов, электронным пучком. Электронные пучки обладают высокой энергией и могут применяться к материалам с высокими температурами плавления. - Нагрев сопротивлением
Электрический ток подается на резистор, например, вольфрамовый, для генерации тепла, а испаряемый материал помещается на резистор для нагрева и испарения испаряемого материала. Поскольку повысить температуру относительно сложно, этот метод подходит для материалов с низкими температурами плавления. - Высокочастотный индукционный нагрев
Материал для испарения помещается в тигель с намотанной вокруг него катушкой, и через катушку пропускается ток высокой частоты для создания сильного магнитного поля. Ток, генерируемый магнитным полем, и тепло, генерируемое электрическим сопротивлением, быстро повышают температуру для испарения материала пленки. - Лазерный нагрев
При облучении осаждаемого материала лазером подается высокая энергия для испарения осаждаемого материала.
Методы плазмы и молекулярного пучка также используются в качестве методов физического осаждения из паровой фазы.
- Молекулярно-лучевая эпитаксия (МЛЭ)
Этот метод использует вакуумное осаждение в сверхвысоком вакууме для выравнивания испаренных молекул в одном направлении, что позволяет более точно контролировать толщину и состав пленки. Скорость роста низкая и требует высокого вакуума, что делает его непригодным для более крупного оборудования и плохим для массового производства. - Распыление
Когда инертный газ, такой как аргон, впрыскивается в вакуум и на электрод подается напряжение, чтобы вызвать тлеющий разряд, плазматический аргон сталкивается с катодом, отталкивая атомы и молекулы на катоде. Если осаждаемый объект помещается на анод, отталкиваемые атомы осаждаются на поверхности. Методы ионизации включают постоянное напряжение тока (DC), радиочастотное переменное напряжение тока (RF-AC), магнетроны и ионные пучки.
2. Химическое осаждение из паровой фазы (CVD)
Химическое осаждение из паровой фазы (CVD) — это метод формирования пленок путем осаждения испаряемых материалов на объект с использованием химических реакций или других химических методов. Типичные методы включают термическое CVD, оптическое CVD, плазменное CVD, органометаллическое CVD и атомно-слоевое осаждение (ALD).
- Термическое CVD
Этот метод использует резистивно нагретую печь для создания высоких температур, через которую протекают сырьевые газы, вызывая химические реакции для формирования тонких пленок. Можно добиться относительно равномерной толщины пленки. - Оптическое химическое осаждение из газовой фазы
Этот метод использует ультрафиолетовые лампы или лазерные лучи для инициирования химических реакций в низкотемпературном процессе для формирования тонких пленок. Поскольку ионы не генерируются, подложка повреждается незначительно. - Плазменное химическое осаждение из газовой фазы
Плазменное CVD — это метод, при котором реакционная способность сырья увеличивается путем его пластификации, вызывая реакцию на мишень испарения с образованием пленки. Высококачественные пленки могут быть сформированы, поскольку тонкие пленки образуются при низких температурах. Однако оборудование является дорогим, а обслуживание сложным. - Органометаллическое CVD
Этот метод использует органометаллический прекурсор металла, который должен быть осажден из паровой фазы, в качестве сырья, который реагирует на мишень с образованием металлической тонкой пленки. Этот метод используется для массового производства светодиодов и других устройств, поскольку он позволяет формировать пленки с высокой скоростью, точно контролируя толщину пленки. - Атомно-слоевое осаждение (ALD)
При осаждении и замене нескольких типов сырья по одному за раз материалы реагируют контролируемым образом в фиксированном месте, образуя тонкую пленку с контролируемой структурой и толщиной.
В дополнение к вышесказанному были разработаны и продаются устройства вакуумного осаждения паров различных методов. Необходимо выбрать соответствующее оборудование в соответствии с применением.